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真空共晶回焊爐適用范圍: 功率半導體封裝(IGBT、晶閘管、MOSFET等) MEMS封裝 大功率器件封裝焊接、激光半導體真空封裝 芯片真空焊接(芯片與基板、蓋板與管殼) 氣密性封裝及材料試驗等
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真空共晶回焊爐適用范圍:
1、功率半導體封裝(IGBT、晶閘管、MOSFET等)
2、MEMS封裝
3、大功率器件封裝焊接、激光半導體真空封裝
4、芯片真空焊接(芯片與基板、蓋板與管殼)
5、氣密性封裝及材料試驗等
真空共晶回焊爐HSM 系列特點:
1、HSM系列半導體真空回流焊以進口平臺,精心打造,具有自主知識產(chǎn)權,打破國際封鎖和壟斷的半導體焊真空焊接設備,產(chǎn)品針對SOPSOT、DIP、QFN、QFP、BGA、IGBT、TO、MINI LED 等真空芯片封裝焊接。
2、2、HSM系列半導體真空回流焊采用工控嵌入式控制系統(tǒng),系統(tǒng)采用雙CPU運算,可以脫離電腦(電腦死機)獨立運行
不僅穩(wěn)定可靠而且溫度控制更加精確。
3、針對客戶產(chǎn)品提供可更換加熱模塊,有效解決溫差導致炸錫現(xiàn)象。
4、分步抽真空設計,最多可分5步抽真空
5、最大真空度可以達到 0.1KPa,Void Sinale<0.5%,Total<1%。最快循環(huán)時間 25s /per cycle、真空回流焊行業(yè)效率最高
6、熱機時間約30min
7、完美四配ASM及國內(nèi)DB設備
8、獨家zhuanli的Fux錫育自動回收系統(tǒng),減少設備維護和清理
9、設備支持關鍵焊接參數(shù)的配方功能、支持MES遠程數(shù)據(jù)讀取。
10、智能氨氣監(jiān)測和控制系統(tǒng),不但節(jié)約保護氣體,而且氧氣含量更低.
11、zhuanli密封圈水冷結構,不僅壽命更長,使用成本更低,而且減少了密封不良造成的昂貴的產(chǎn)品損壞。

zhuanli模塊加熱結構、溫度控制更加精準、行業(yè)溫控溫差最小、焊接效果更好進料升降高度和運輸采用步進伺服無極調(diào)速,可以匹配不同產(chǎn)品的生產(chǎn)需求完美的保護氣體加注與廢氣回收結構,讓爐內(nèi)保護氣體更加均勻,爐膛更加清潔進料采用無塵滾輪+進料矯正機構和預熱區(qū)完美結合,可以實現(xiàn)產(chǎn)品準確移動到加熱器中央獨立氮氫混合氣體注入系統(tǒng)實現(xiàn)預熱區(qū)注入氨氣、焊接區(qū)注入氨氫混合氣體,不僅更加節(jié)約而且保護效果更佳zhuanli收料保護機構,當料框變形收料卡板時,自動轉存到備用料框,不僅不會耽誤生產(chǎn),還能防止產(chǎn)品在爐內(nèi)損壞
共晶回流爐基本參數(shù)
設備型號:HTC-612D HTC-613D
設備尺寸(mm):L6300*D1450*H1560 L6300*D1450*H1560
機器重量 :APPROX:3000KG APPROX:3100KG
加熱區(qū)數(shù)量 :上6個下6個 上6個下6個
冷卻區(qū)數(shù)量:上2個下2個 4個冷卻區(qū) 上3個下3個 6個冷卻區(qū)
冷卻方式 強制冰冷 強制冰冷
排風要求:10m3/H*2 10m3/H*2
空洞率: APPROX:1%-2% APPROX:1%-2%
控制系統(tǒng)
電源要求:3P 380V 50/60Hz 3P 380V 50/60Hz
總功率 :60KW 64KW
分段啟動功率: 35KW 35KW
消耗功率: APPROX:12KW-18KW APPROX:13KW-18KW
熱風機調(diào)速 孌頻無極調(diào)速 變頻無極調(diào)速
升溫時間 :APPROX:30min APPROX:30min
溫度控制范圍 :室溫~400°C可設置 室溫~400℃C可設置
生產(chǎn)配方 可儲存多組合生產(chǎn)配方 可儲存多組合生產(chǎn)配方
運輸系統(tǒng)
軌道對數(shù):單軌 單軌
軌道結構 :3段組合結構 3段組合結構
載具尺寸(mm):L330*D250 L330*D250
運輸帶高度(mm):900±20 900±20
運輸方式:等距推板、等距推板
真空系統(tǒng)
低真空壓力:0.1Kpa 0.1Kpa
真空泵流量 :APPROX:1000L/min APPROX:1000L/min
泄壓時間 :≤10s ≤10s
生產(chǎn)效率 :≥40s 240s
選配氮氣系統(tǒng)
氮氣結構 全程/局部充氮 全程/局部充氮
氮氣系統(tǒng) :自動或手動可切換 自動或手動可切換
氮氣消耗量 :APPROX:300-500L/min APPROX:300-500L/min
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